[发明专利]一种硼组合物包覆硅纳米浆料的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201310194574.2 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103280401A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘国钧;杨小旭;蒋红彬;钟朝伟;沈晓东 | 申请（专利权）人： | 刘国钧 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 436000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硼组合物包覆硅纳米浆料的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：1）制备纳米硅悬浊液；2）在步骤（1）制得的纳米硅悬浊液里制备含硼高聚物，同时搅拌，制得分散均匀的含硼纳米硅浆料，反应过程通入保护气氛；所述含硼纳米硅浆料的粘度在1.0-15.0PaS。将制得的含硼纳米硅浆料通过丝网印刷到电池硅片表面，线条清晰度高，无毛刺。能对硅片进行选择性掺杂并形成高低掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组合 物包覆硅 纳米 浆料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种硼组合物包覆硅纳米浆料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤1）制备纳米硅悬浊液；2）在步骤1）制得的纳米硅悬浊液里进行硼聚合包覆反应，反应过程通入保护气氛，同时进行搅拌，将纳米硅悬浊液和含硼高聚物得到均匀的混合分散，从而制得含硼纳米硅浆料，所述含硼纳米硅浆料的粘度在1.0PaS‑15.0PaS。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
