[发明专利]一种硼掺杂纳米硅材料的制备方法及其装置有效

专利信息
申请号: 201310194667.5 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN104645887A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 蔡立超 申请(专利权)人: 蔡立超
主分类号: B01J3/06 分类号: B01J3/06
代理公司: 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 代理人: 张德平
地址: 250014 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种合成金刚石用绝缘元件,包括氧化镁、氧化锆、六方氮化硼和水玻璃,氧化镁和氧化锆的重量比为1∶3—3∶1,六方氮化硼的重量为氧化镁和氧化锆重量之和的4-6%,水玻璃的重量为氧化镁、氧化锆和六方氮化硼重量之和的10-15%。本发明所述的绝缘元件的强度高,在运输和合成过程中能够承受较大的外力,避免因破损造成的损失;保温效果好,热传导系数低于3.657W·m-1·K-1,能够保持合成过程的温度,提高金刚石很成的质量;采用该绝缘元件合成的金刚石内部点杂质明显减少。该绝缘元件的电阻率大于1016Ω/cm,是一种理想的绝缘材料。
搜索关键词: 一种 掺杂 纳米 材料 制备 方法 及其 装置
【主权项】:
一种合成金刚石用绝缘元件,其特征在于:包括绝缘管和绝缘片,和绝缘片扣装在绝缘管上,绝缘管和绝缘片的材料由氧化镁、氧化锆、六方氮化硼和水玻璃组成,氧化镁和氧化锆的重量比为1:3—3:1,六方氮化硼的重量为氧化镁和氧化锆重量之和的4‑6%,水玻璃的重量为氧化镁、氧化锆和六方氮化硼重量之和的10‑15%。
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