[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310195137.2 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103515424B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 韩振宇 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/40;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;李春晖 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：包括沟槽的衬底；第一电极，布置在沟槽之下；第二电极，布置在沟槽之上，第一绝缘层布置在第一电极与第二电极之间；第一触点，布置在衬底的第一方向上并且连接到第一电极；以及第二触点，布置在不同于第一方向的第二方向上，第二触点连接到第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：包括沟槽的衬底；第一电极，布置在所述沟槽的底部上；第二电极，布置在所述第一电极上，第一绝缘层布置在所述第一电极与所述第二电极之间；第一触点，被布置成与所述第一电极的延伸部接触；以及第二触点，被布置成与所述第二电极的延伸部接触，其中，所述第一电极的延伸部在所述衬底的第一方向上延伸，并且所述第二电极的延伸部在所述衬底的第二方向上延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。
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