[发明专利]使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的装置

摘要

本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。

主权项

一种半导体装置，包括：基底，包括p沟道金属氧化物半导体区域和n沟道金属氧化物半导体区域；绝缘层中的第一接触孔，暴露位于p沟道金属氧化物半导体区域中的第一抬升源极/漏极区域；第一金属接触，在第一接触孔中位于第一抬升源极/漏极区域上；第一金属硅化物，在第一抬升源极/漏极区域中接触第一金属接触，第一金属硅化物包括远离第一抬升源极/漏极区域的表面的第一硅化物下轮廓，第一硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，第一金属硅化物包括与第一硅化物下轮廓相对的平坦顶部；绝缘层中的第二接触孔，暴露位于n沟道金属氧化物半导体区域中的第二抬升源极/漏极区域；第二金属接触，在第二接触孔中位于第二抬升源极/漏极区域上；以及第二金属硅化物，在第二抬升源极/漏极区域中接触第二金属接触，第二金属硅化物包括远离第二抬升源极/漏极区域的表面的第二硅化物下轮廓，第二硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，第二金属硅化物包括与第二硅化物下轮廓相对的凸起顶部，其中，凸起顶部具有朝向第二金属硅化物的尖端区域凹进的中心部分。