[发明专利]一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法无效
申请号: | 201310195567.4 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103295952A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 杨渝书;秦伟;黄海辉 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L27/146 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陆花 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法,通过逻辑区深浅沟道隔离槽工艺和感光区浅浅沟道隔离槽工艺这两道完全独立的制备工艺来完成双深度浅沟道隔离槽的制备,因而避免了深浅沟道隔离槽的双斜度形貌;同时利用浅浅沟道隔离槽的深度较浅的特点,直接将第二光刻胶层作为感光区浅STI刻蚀的掩膜层,从而避免了硬掩膜层在两道STI刻蚀中形成台阶状高度差的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 深度 沟道 隔离 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双深度浅沟道隔离槽的制备方法,其特征在于,包括:提供包含感光区和逻辑区的衬底,在所述衬底上依次形成硬掩膜层和第一光刻胶层,所述第一光刻胶层在所述逻辑区形成有深STI图案;以所述第一光刻胶层和硬掩膜层为掩膜,进行逻辑区深STI刻蚀,在所述逻辑区形成深浅沟道隔离槽;在形成深浅沟道隔离槽的器件表面上形成第二光刻胶层,所述第二光刻胶层在所述感光区形成有浅STI图案;以所述第二光刻胶层为掩膜,进行感光区浅STI刻蚀,在所述感光区形成浅浅沟道隔离槽;重新暴露出所述深浅沟道隔离槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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