[发明专利]掩膜板覆盖膜设计方法无效
| 申请号： | 201310195623.4 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103279008A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 朱骏;马兰涛;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜板覆盖膜设计方法，包括：掩膜板覆盖膜制作步骤，用于制作掩膜板覆盖膜膜体；气孔形成步骤，用于在掩膜板覆盖膜膜体四个侧边分别布置多个气孔。所述掩膜板覆盖膜设计方法可以用于设计193纳米光源的掩膜板覆盖膜。掩膜板覆盖膜膜体四个侧边上的气孔的尺寸相同。掩膜板覆盖膜膜体四个侧边中的各个侧边上的多个气孔等间距布置。掩膜板覆盖膜膜体四个侧边中的相对侧边上的气孔数量相等，并且对应布置。掩膜板覆盖膜膜体四个侧边中的较长的两个相对侧边上的气孔数量大于四个侧边中的较短的两个相对侧边上的气孔数量。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜板 覆盖 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜板覆盖膜设计方法，其特征在于包括：掩膜板覆盖膜制作步骤，用于制作掩膜板覆盖膜膜体；气孔形成步骤，用于在掩膜板覆盖膜膜体四个侧边分别布置多个气孔。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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