[发明专利]制造半导体发光装置的方法在审
| 申请号： | 201310196886.7 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426982A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 朴基镐;金起成;金喆敏;尹皙胡;李泰泫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;郭鸿禧 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 发光 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括下述步骤：通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构；在第二导电类型半导体层上沉积支撑单元，以与发光结构结合；从发光结构分离半导体生长基板；对半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面进行湿法蚀刻，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离；以及清洗半导体生长基板。
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