[发明专利]基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法有效

专利信息
申请号: 201310197061.7 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103246904A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 黄如;张耀凯;蔡一茂;杨帆;潘越;王宗巍;方亦陈 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G06K19/00 分类号: G06K19/00;G06N3/02
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于阻变忆阻器的时间关联学习神经元电路及其实现方法。本发明利用阻变忆阻器的开关特性,当其两端被两个激励信号同步选定时,将会在器件的两端形成可以使其发生阻变的电压压降,从而实现这个突触连接的开断,实现两个激励信号的关联与否,并具有记忆特性,而且能够复述出之前的激励信号,即达到学习目的。由于阻变忆阻器的结构简单且可集成度高,能够实现大规模的物理神经元突触连接,以达到更为复杂的学习甚至逻辑功能,本发明在神经元计算中有着很好的应用前景。
搜索关键词: 基于 阻变忆阻器 时间 关联 学习 神经元 电路 及其 实现 方法
【主权项】:
1.一种时间关联学习神经元电路,其特征在于,所述电路包括:两个神经元细胞电路(1和2)及作为二者之间的突触连接的阻变忆阻器(3);进一步,神经元细胞电路包括:激励信号端P、突触连接端M、缓冲器、控制信号反相器N1、第一传输门T1及第二传输门T2;其中,所述缓冲器的输出端out连接至激励信号端P,输入端in连接至第二传输门T2的一个信号端;所述控制信号反相器N1的输入端in连接至激励信号端P、第一传输门T1的正控制端S及第二传输门T2的负控制端,输出端out连接至第一传输门T1的负控制端及第二传输门T2的正控制端S;所述第一传输门T1的一个信号端连接至电压源,另一个信号端连接至突触连接端M,正控制端S连接至激励信号端P,负控制端连接至控制信号反相器N1的输出端out;所述第二传输门T2的一个信号端连接至缓冲器的输入端in,另一个信号端连接至突触连接端M,正控制端口S连接至激励信号端P,负控制端连接至控制信号反相器N1的输出端out。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310197061.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top