[发明专利]聚偏氟乙烯基PTC 高分子发热材料及其制备方法无效
申请号: | 201310197490.4 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103304937A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 李贻连 | 申请(专利权)人: | 安邦电气集团有限公司 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08L51/06;C08K13/02;C08K3/08;C08K3/28;C08K3/16;C08K5/1515;C08K5/5419 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 239300 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种聚偏氟乙烯基PTC高分子发热材料,由下列重量份的原料制成:聚偏氟乙烯80-85、马来酸酐接枝的聚乙烯10-15、铝粉20-25、镍粉5-8、氮化铝12-14、麦饭石粉20-25、氟化钙3-5、氢氧化镁6-8、铝矾土10-12、苯基三乙氧基硅烷3-5、二甲基硅油5-8、环氧亚麻子油2-4、磷酸二氢铵1-2。大大提高了本发明的PTC强度和高的PTC稳定性,电阻稳定、温度均匀、PTC特性稳定、增加材料的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 聚偏氟 乙烯基 ptc 高分子 发热 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种聚偏氟乙烯基PTC 高分子发热材料,其特征在于:由下列重量份的原料制成:聚偏氟乙烯80‑85、马来酸酐接枝的聚乙烯10‑15、铝粉20‑25、镍粉5‑8、氮化铝12‑14、麦饭石粉20‑25、氟化钙3‑5、氢氧化镁6‑8、铝矾土10‑12、苯基三乙氧基硅烷3‑5、二甲基硅油5‑8、环氧亚麻子油2‑4、磷酸二氢铵1‑2。
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