[发明专利]一种晶圆级LED封装方法

摘要

本发明涉及一种晶圆级LED封装方法，属于半导体封装技术领域。其方法包括步骤：提供具有正负电极（110）的LED芯片（100）；提供一个表面设置硅基型腔（210）、另一个表面设置硅通孔（220）的硅本体（200）；所述硅基型腔（210）内设置导电电极（300）；将LED芯片（100）倒装于导电电极（300）上；所述硅基型腔（210）的内填充光致发光层（400），所述光致发光层（400）覆盖LED芯片（100）的出光面；通过晶圆切割分离的方法形成单颗晶圆级LED封装结构。本发明提供了一种热阻低、散热性能好、提升出光效率、封装费用低、可以有效地拓宽LED的应用的晶圆级LED封装方法。

主权项

一种晶圆级LED封装方法，包括步骤：提供具有正负电极（110）的LED芯片（100）；提供硅本体（200），所述硅本体（200）的一个表面设置硅基型腔（210），所述硅基型腔（210）内壁和底部沉积若干层绝缘层（211），所述绝缘层（211）的表面形成反射层（212），所述硅基型腔（210）底部的反射层（212）上形成反射层开口（213），所述硅基型腔（210）内设置导电电极（300），所述导电电极（300）成形于反射层开口（213）内；提供载体圆片（T1），所述载体圆片（T1）与硅本体（200）的上述表面通过键合物质（T2）进行键合；所述硅基型腔（210）的另一个表面通过研磨、蚀刻的方法形成若干个硅通孔（220），所述硅通孔（220）内沉积若干层绝缘保护层（221），所述绝缘保护层（221）同时覆盖硅本体（200）的上述表面，利用光刻、显影、蚀刻和/或激光打孔等方法将硅通孔（220）顶部的绝缘保护层（221）打开，露出导电电极（300），在绝缘保护层（221）上覆盖金属线路层（222），所述金属线路层（222）亦覆盖露出的导电电极（300）的上述表面，并于电极（110）的正负极间隙的对应下方断开，通过光刻工艺在金属线路层（222）表面涂覆线路表面保护层（223），并选择性地形成线路表面保护层开口（224）；通过圆片解键合工艺把载体圆片（T1）从硅本体（200）表面剥离；将LED芯片（100）倒装于硅基型腔（210）内，所述电极（110）与导电电极（300）连接，所述硅基型腔（210）内填充光致发光层（400），所述光致发光层（400）覆盖LED芯片（100）的出光面，所述光致发光层（400）的出光面为平面、弧面或球面；通过晶圆切割分离的方法形成单颗晶圆级LED封装结构。