[发明专利]双重图案化的方法有效
申请号: | 201310198556.1 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103681255A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李镇玮;刘弘仁 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F7/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双重图案化的方法。首先,提供基底,此基底包括第一区及第二区。接着,在基底上形成目标层。然后,在目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层,此第一图案化的光致抗蚀剂层在第一区具有多个开口,并且在第二区上的第一图案化的光致抗蚀剂层至少有一部分的厚度小于在第一区上的第一图案化的光致抗蚀剂层的厚度。之后,在第一开口之中以及第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。本发明提供的双重图案化的方法仅利用一道光罩工艺即可在基底的第一区及第二区上形成具有不同厚度的第一图案化的光致抗蚀剂层,此举使得第二光致抗蚀剂层在整个第一区上具有均匀的厚度,以得到良好的曝光显影环境。 | ||
搜索关键词: | 双重 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种双重图案化的方法,其特征在于,包括:提供一基底,上述基底包括第一区及第二区;在上述基底上形成目标层;在上述目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层,上述第一图案化的光致抗蚀剂层在上述第一区具有多个第一开口且具有第一厚度,而在上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层至少有第一部分的第二厚度小于在上述第一区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一厚度;以及于上述第一开口之中以及上述第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310198556.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:苹果汁
- 下一篇:一种苦瓜饮料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造