[发明专利]阻变存储器件以及具有其的存储装置和数据处理系统有效
| 申请号： | 201310198834.3 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103514949B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李根;姜世勋;具滋春;洪权 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种可利用低功耗操作的阻变存储器件和包括所述阻变存储器件的存储装置和数据处理系统。所述阻变存储器件包括包含10wt%至60wt%（原子重量）的硒（Se）或碲（Te）的硫族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 以及 具有 装置 数据处理系统 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器件，包括：数据储存节点，所述数据储存节点包括与绝缘层交替层叠的可变电阻材料层，其中，所述可变电阻材料层中的一个由包含10wt％至60wt％原子重量的硒或碲的硫族化合物形成；下电极，所述下电极包围位于所述数据储存节点的一个侧壁处的所述绝缘层和所述可变电阻材料层；以及上电极，所述上电极包围位于所述数据储存节点的另一个侧壁处的所述绝缘层和所述可变电阻材料层。
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