[发明专利]形成凸块结构的方法有效
| 申请号： | 201310199231.5 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104008981B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 于宗源;陈宪伟;陈英儒 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成凸块结构的方法，包括通过化学镀工艺在顶部金属层上形成金属化层；在金属化层上方形成聚合物层；在聚合物层上形成开口以暴露金属化层；以及在暴露的金属化层上方形成焊料凸块，以与顶部金属层电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成凸块结构的方法，包括：通过化学镀工艺或浸镀工艺在半导体衬底的顶部金属层上形成第一金属化层，其中，所述第一金属化层未横向延伸越过所述顶部金属层的横向外边缘；在所述第一金属化层上方形成钝化层；在所述钝化层中形成开口，以暴露所述第一金属化层，其中暴露的所述第一金属化层包括第一部分和第二部分；在所述钝化层和所述第一金属化层上形成保护层；在所述保护层中形成开口，以暴露所述第一金属化层的第一部分而覆盖所述第一金属化层的第二部分；以及在所述保护层上方形成电连接至所述第一金属化层的焊料凸块。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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