[发明专利]基于光电技术的多模态植入式神经调控电极及制作方法

摘要

本发明公开了一种基于光电技术的多模态植入式神经调控电极及制作方法，所述基于光电技术的多模态植入式神经调控电极包括基底，所述基底上设置有个电刺激触点和个光刺激触点，所述光刺激触点包括发光二极管，所述发光二极管包括外部的n电极、中部的发光层和内部的p电极。本发明可以根据不同病情案例，调整刺激模式，对神经组织进行电刺激、光刺激、或组合刺激，以达到优化的治疗效果。本发明制备工艺简单，精度高，重复性好，而且可以进一步通过减小刺激单元尺寸，增加单元数目，从而提高分辨率，广泛地应用于神经科学研究，在临床研究上发展更精确可靠的神经调控技术，研究帕金森、癫痫等神经系统疾病的机制。

主权项

基于光电技术的多模态植入式神经调控电极，包括基底（3），其特征在于：所述基底（3）上设置有16个电刺激触点（1）和9个光刺激触点（2），所述光刺激触点（2）包括发光二极管（4），所述发光二极管（4）包括外部的n电极（5）、中部的发光层（6）和内部的p电极（7）。