[发明专利]Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201310199689.0 申请日: 2013-05-27
公开(公告)号: CN103305920A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 吴浩迪;潘革波;肖燕 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: C30B29/62 分类号: C30B29/62
代理公司: 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 代理人: 丁秀华
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用。该制备方法可包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,常温静置24h~48h,再分离出固形物,经乙腈等清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。该制备方法可用以制备有机电子器件。本发明工艺简单,易于操作,无需特殊的反应设备,反应条件温和,在常温下即可进行,适于工业化生产,并且最终产物纯度高,不含杂质,表面光滑,尺寸分布均一,具有很好的电学存储性能。
搜索关键词: ag tcnq 纳米 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种Ag‑TCNQ一维纳米晶的制备方法,其特征在于,包括:取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合,并加入水混合均匀,并静置24h以上,再分离出固形物,经清洗后获得Ag‑TCNQ一维纳米晶。
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