[发明专利]阵列基板的制备方法及阵列基板和显示装置有效

专利信息
申请号: 201310200126.9 申请日: 2013-05-27
公开(公告)号: CN103337477A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 冀新友 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例公开了一种阵列基板的制备方法及阵列基板和显示装置,所述阵列基板包括像素区、对位区和像素测试区,其特征在于,所述对位区包括依次形成在基板上的对位栅层、对位绝缘层和对位像素电极层,所述像素测试区包括依次形成在基板上的测试栅层、测试绝缘层和测试像素电极层,所述对位栅层和所述测试栅层与所述像素区中的栅层同层设置,所述对位像素电极层和所述测试像素电极层与所述像素区中的像素电极层同层设置,所述对位绝缘层和所述测试绝缘层与所述像素区中的栅绝缘层同层设置或与所述像素区中的钝化层同层设置。本发明用于测量像素电极的线宽。
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:在基板上形成包括栅极、栅线、对位区的对位栅层和像素测试区的测试栅层的图形;沉积栅绝缘层,并通过构图工艺去除所述对位栅层上的绝缘层和所述测试栅层上的绝缘层;形成包括源极、漏极和数据线的源漏极金属层和半导体层的图形;沉积钝化层并通过构图工艺形成用来连接漏极与像素电极的过孔;沉积像素电极层,并通过构图工艺形成像素电极、对位像素电极和测试像素电极。
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