[发明专利]自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法无效
| 申请号： | 201310200706.8 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367632A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 周仕明;刘兹伟;顾云飞 | 申请（专利权）人： | 盐城彤晖磁电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 224100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，包括：利用计算机控制的磁控溅射设备在硅衬底上溅射形成缓冲层Cr，沉积SmCo5层，沉积铁磁/Cu/铁磁三明治夹层，得到多层膜自旋阀磁电阻传感器材料，用四探针法测量多层膜自旋阀磁电阻传感器材料的磁电阻效应。优点是：上述自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法提出利用稀土永磁对底部铁磁层进行钉扎，从而获得自旋阀磁电阻传感器材料，用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料，充分利用了丰富的稀土资源，同时保持较好的磁电阻效应，在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变，将在磁电子学传感器有潜在的使用价值，可望在互联网领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 磁电 传感器 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，其特征在于：包括：利用计算机控制的磁控溅射设备在硅衬底上溅射形成缓冲层Cr，沉积SmCo5层，沉积铁磁/Cu/铁磁三明治夹层，得到多层膜自旋阀磁电阻传感器材料，用四探针法测量多层膜自旋阀磁电阻传感器材料的磁电阻效应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城彤晖磁电有限公司，未经盐城彤晖磁电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310200706.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种加工中心人字立柱结构
- 下一篇：一种拉力测试装置
