[发明专利]一种氮化镓图形衬底的制备方法

摘要

本发明揭示了一种氮化镓图形衬底的制备方法，本方法先将衬底进行热处理，降温；再在衬底上生长一层氮化物成核层；退火，使衬底表面形成成核层的结晶；然后，在结晶的氮化物成核层上生长厚度为2—4um非故意掺杂氮化镓层；在非故意掺杂氮化镓层上生长N型氮化镓层并进行刻蚀最终形成图形衬底。本发明的方法可以得到不同形貌、尺寸的图案，工艺过程容易控制；刻蚀速度快，生产效率高；在NGaN结构上生长，避免了晶格失配现象，降低外延层中的位错密度等优点。

主权项

一种氮化镓图形衬底的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、采用气相外延生长技术，在气相外延生长反应室里将衬底进行热处理，降温；步骤二、在衬底上生长一层非晶氮化镓缓冲层；步骤三、退火，使衬底表面形成多晶氮化镓缓冲层；步骤四、在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；步骤五、在非故意掺杂氮化镓层生长N型氮化镓层；步骤六、在N型氮化镓层上进行图形刻蚀；其中，所述衬底材料为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌中的一种。