[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置在审

专利信息
申请号: 201310203912.4 申请日: 2013-05-28
公开(公告)号: CN103296034A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 刘政;任章淳;左岳平 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/51;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/02
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于显示技术领域,涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板,包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层,所述存储电容包括第一极板、第二极板以及所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层,其中,所述栅绝缘层紧邻所述源极、所述漏极部分的栅绝缘层的介电常数小于等于所述电介质层的介电常数。本发明的有益效果是:该阵列基板中的存储电容的电介质层的厚度虽然较小,但存储电容的容量较高,显著减小了存储电容尺寸,减小了包括存储电容的像素结构的尺寸,为高分辨率显示面板的制备提供了保证。
搜索关键词: 一种 阵列 制备 方法 以及 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板,包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和存储电容,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层,所述存储电容包括第一极板、第二极板以及所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层,其特征在于,所述栅绝缘层紧邻所述源极、所述漏极部分的栅绝缘层的介电常数小于等于所述电介质层的介电常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310203912.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top