[发明专利]一种改善功率放大器自加热效应的电路无效
| 申请号： | 201310204582.0 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103338010A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 高怀;孙晓红;田婷;陈涛 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善功率放大器自加热效应的电路，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT；功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端；功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号；基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大；每个HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块；所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地；所述偏置模块，用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。输入信号功率较小时，仅镇流电阻小的HBT导通；输入信号功率增大时，其它HBT逐渐导通；在不影响功率输出的前提下从根本上解决热效应的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 功率放大器 加热 效应 电路 | ||
【主权项】：
一种改善功率放大器自加热效应的电路，其特征在于，包括：功率单元和偏置模块；所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT；所述功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端；所述功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号；所述基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大；每个所述HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块；所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地；所述偏置模块，用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州英诺迅科技有限公司，未经苏州英诺迅科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310204582.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：照明设备和照明控制系统
- 下一篇：荧光体器件、照明装置以及投影装置
