[发明专利]半导体基板的制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体基板的制造方法，包括有下列步骤：提供具有成核成长层的半导体基板、形成微粒子刻蚀掩膜于成核成长层上、刻蚀成核成长层、填入无机凝胶于刻蚀凹槽、移除微粒子刻蚀掩膜、进行多晶柱成长及横向接合多晶柱，借此形成具有低缺陷平坦接合薄膜的半导体基板。本发明的制造方法是可将成核成长层或多晶柱成长的缺陷限制在多晶柱之间，在多晶柱的顶端水平接合后便可形成具有低缺陷平坦接合薄膜的半导体基板，亦即低缺陷半导体基板。

主权项

一种半导体基板的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：提供具有成核成长层的半导体基板，其中该成核成长层是成长于该半导体基板的上表面；形成微粒子刻蚀掩膜于该成核成长层上，其是将多个微粒子覆盖于该成核成长层上，并微缩上述微粒子以在上述微粒子间形成多个间隙借以形成该微粒子刻蚀掩膜；刻蚀该成核成长层，其是通过该微粒子刻蚀掩膜对该成核成长层进行刻蚀，并在未被该微粒子刻蚀掩膜覆盖的该成核成长层处形成多个刻蚀凹槽；填入无机凝胶于上述刻蚀凹槽；移除该微粒子刻蚀掩膜，其是移除该微粒子刻蚀掩膜以露出其下方的该成核成长层，以使得露出的该成核成长层成为多个多晶成长面；进行多晶柱成长，其是在上述多晶成长面上进行纵向及侧向长晶以成长多个多晶柱；以及横向接合上述多晶柱以形成低缺陷半导体基板，其是继续进行纵向及侧向多晶成长直至上述多晶柱顶端横向接合形成具有平坦接合薄膜的该低缺陷半导体基板。