[发明专利]埋入式字线结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种埋入式字线结构及其形成方法。方法包括在基底上依序形成第一掩膜层、夹层以及第二掩膜层，其中第二掩膜层具有交替排列的多个掩膜图案与多个间隙，且间隙包括交替排列的多个第一间隙与多个第二间隙。在各第一间隙中形成介电图案且同时在各第二间隙的侧壁上形成间隙壁，其中在相邻的间隙壁之间形成第一沟槽且第一沟槽暴露部分第一掩膜层。移除掩膜图案以形成第二沟槽。使用介电图案与间隙壁作为掩膜来进行蚀刻制程，以使第一沟槽加深至基底中且第二沟槽加深至第一掩膜层中。

主权项

一种埋入式字线结构的形成方法，其特征在于，包括：在基底上依序形成第一掩膜层、夹层以及第二掩膜层，其中所述第二掩膜层具有交替排列的多个掩膜图案与多个间隙，且所述间隙包括交替排列的多个第一间隙与多个第二间隙；在各第一间隙中形成介电图案且同时在各第二间隙的二侧壁上形成二间隙壁，其中在各第二间隙中相邻的所述间隙壁之间形成第一沟槽且所述第一沟槽暴露部分所述第一掩膜层；移除所述掩膜图案以形成多个第二沟槽；以及使用所述介电图案与所述间隙壁作为掩膜来进行蚀刻制程，以使所述第一沟槽加深至所述基底中且所述第二沟槽加深至所述第一掩膜层中。