[发明专利]一种忆阻层及忆阻器有效
| 申请号： | 201310206768.X | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103280526A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;后羿;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种忆阻层，包括主要层和辅助层；所述辅助层位于所述主要层的上面；所述主要层的厚度大于辅助层的厚度；所述主要层由具有阻变特性的金属氧化物Ax1Oy1构成；所述辅助层由金属氧化物Bx2Oy2构成；x1、x2、y1、y2为与化学价相关的元素比例。本发明还公开了一种电学特性参数离散性较小的忆阻器。本发明所公开的忆阻层结构简单，性能优越，工艺复杂度低，节约了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻层 忆阻器 | ||
【主权项】：
一种忆阻层，其特征在于，包括主要层和辅助层；所述辅助层位于所述主要层的上面；所述主要层的厚度大于所述辅助层的厚度；所述主要层由具有阻变特性的金属氧化物Ax1Oy1构成；所述辅助层由金属氧化物Bx2Oy2构成；其中，x1、x2、y1、y2为与化学价相关的元素比例。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310206768.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种直流过电压保护仿真装置
- 下一篇：一种低压限流控制仿真装置
