[发明专利]退火装置和退火工艺有效
| 申请号： | 201310206825.4 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103337457A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王祖强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种退火装置及退火工艺，其中退火装置包括：温度梯度预热单元，用于采用梯度温度对待退火的基板进行梯度预热；高温单元，用于对经过预热的基板进行高温加热；移动装置，用于在基板经过梯度预热时和/或预热后，将基板从所述温度梯度单元运送至所述高温单元。本发明的有益效果是：采用梯度加热的方式，对基板进行预热处理，提高了退火效率。增加了等离子体诱导单元和电磁场辅助高温单元，多种功能集成且提高了退火效率。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 装置 工艺 | ||
【主权项】：
一种退火装置，其特征在于，包括：温度梯度预热单元，用于采用梯度温度对待退火的基板进行梯度预热；高温单元，用于对经过预热的基板进行高温加热；移动装置，用于在基板经过梯度预热时和/或预热后，将基板从所述温度梯度预热单元运送至所述高温单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
