[发明专利]半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，包括以下步骤：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将半导体器件柱状凸点单体倒扣在再布线铜板上，然后回流；半导体器件柱状凸点单体的制作方法：在半导体芯片上形成电极；在半导体芯片和电极上覆盖钝化层；在钝化层上形成一层聚合物；再有选择的形成绝缘中空柱状件；在表面形成金属层；再形成光刻胶和开口；在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，形成第二金属柱；去除光刻胶和金属层；切割成单体。本发明制备的半导体器件扇出倒装芯片封装结构，能够缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力，解决由于热膨胀不均匀容易引起电极断裂，导致半导体器件失效的问题。

主权项

一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将所述半导体器件柱状凸点单体倒装在再布线铜板上，然后回流实施树脂填充；所述半导体器件柱状凸点单体的制作方法：（1）在半导体芯片上形成电极；（2）在半导体芯片和电极上选择性的覆盖钝化层；（3）在钝化层上形成一层聚合物；（4）在钝化层上再有选择的形成绝缘中空柱状件；（5）在绝缘中空柱状件表面、电极表面以及半导体芯片表面形成金属层；（6）在金属层上形成光刻胶；（7）在光刻胶上通过光刻形成开口；（8）在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，在光刻胶开口形成第二金属柱；（9）去除绝缘中空柱状件外围的光刻胶和金属层；（10）切割成具有柱状凸点的半导体器件单体。