[发明专利]一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法

摘要

一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明的意义在于提高半导体激光器的出输出功率，在基本不改变半导体激光器前后腔面膜结构的情况下，提高大功率半导体激光器的COD阈值和寿命及稳定性。此方法是现在高真空的解理钝化镀膜机中解理半导体激光器bar条，然后直接在高真空中对半导体激光器bar条进行钝化，所用的钝化材料为SiN，目的在于减少解理半导体激光器bar条时在腔面产生缺陷，影响半导体激光器稳定性及寿命。此方法可以用大功率半导体激光器的生产和制造领域。

主权项

一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法其特征在于，包含以下几个步骤：步骤1.将半导体激光器芯片进行减薄并且解理成矩形；用划片机在解理好的激光器芯片上划出解理线待处理步骤2.把处理好的半导体激光器芯片放到专用的夹具上，将携带有半导体激光器芯片的夹具放到真空解理镀膜机的架子上然后再放到真空解理镀膜机中步骤3.通过操作在真空中解理半导体激光器芯片，并把解理好的半导体激光器bar条在真空中蒸镀SiN钝化膜步骤4.在钝化完成之后关闭真空泵取出bar条，用专用的镀膜夹具将钝化好的bar条装好，利用全自动镀膜机在装好的bar条前腔面蒸镀增透膜，在后腔面蒸镀高反膜。