[发明专利]一种沟槽MOS划片槽的设计方法在审

专利信息
申请号: 201310209439.0 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN103337454A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 黄泽军;李伟;李伟聪 申请(专利权)人: 深圳市锐骏半导体有限公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;H01L23/544
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种沟槽MOS划片槽的设计方法,其划片槽基于光刻板上,是利用模具或模板在光刻板上进行曝光所形成并嵌于晶圆之中或围绕于芯片周围,所述划片槽的设计是在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小光刻板内部的划片槽的宽度,实现晶圆利用率最大化;本发明能解决目前晶圆加工过程中划片槽占用过多的晶圆面积问题、实现晶圆面积利用的最大化。
搜索关键词: 一种 沟槽 mos 划片 设计 方法
【主权项】:
一种沟槽MOS划片槽的设计方法,其划片槽基于光刻板上,是利用模具或模板在光刻板上进行曝光所形成并嵌于晶圆之中或围绕于芯片周围,其特征在于,所述划片槽的设计是在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度,实现晶圆利用率最大化;由于光刻板上所呈现的镜头数不固定,该划片槽的设计方法要满足如下几个要求:第一,晶圆内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;第二,相邻镜头之间划片槽的宽度与单一镜头内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;第三,在保证相邻镜头之间的划片槽宽度不小于晶圆的测试图形的同时,减小相邻镜头之间的划片槽的宽度;第四,单一镜头内部的划片槽的宽度小于相邻镜头之间的划片槽的宽度。
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