[发明专利]一种沟槽MOS划片槽的设计方法在审
申请号: | 201310209439.0 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN103337454A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 黄泽军;李伟;李伟聪 | 申请(专利权)人: | 深圳市锐骏半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L23/544 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种沟槽MOS划片槽的设计方法,其划片槽基于光刻板上,是利用模具或模板在光刻板上进行曝光所形成并嵌于晶圆之中或围绕于芯片周围,所述划片槽的设计是在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小光刻板内部的划片槽的宽度,实现晶圆利用率最大化;本发明能解决目前晶圆加工过程中划片槽占用过多的晶圆面积问题、实现晶圆面积利用的最大化。 | ||
搜索关键词: | 一种 沟槽 mos 划片 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种沟槽MOS划片槽的设计方法,其划片槽基于光刻板上,是利用模具或模板在光刻板上进行曝光所形成并嵌于晶圆之中或围绕于芯片周围,其特征在于,所述划片槽的设计是在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度,实现晶圆利用率最大化;由于光刻板上所呈现的镜头数不固定,该划片槽的设计方法要满足如下几个要求:第一,晶圆内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;第二,相邻镜头之间划片槽的宽度与单一镜头内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;第三,在保证相邻镜头之间的划片槽宽度不小于晶圆的测试图形的同时,减小相邻镜头之间的划片槽的宽度;第四,单一镜头内部的划片槽的宽度小于相邻镜头之间的划片槽的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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