[发明专利]一种低浓度掺杂的蒸发设备

摘要

本发明公开了一种低浓度掺杂的蒸发设备，包括真空镀室、主蒸发源和掺杂蒸发源，蒸发设备还包括掩膜装置，掩膜装置包括至少一个掩膜板及蒸发腔体，蒸发腔体的上端开口并通向待制备器件；掩膜板水平安装在蒸发腔体内，掩膜板上开设多个通孔，多个通孔均匀分布于掩膜板；掺杂蒸发源设置在蒸发腔体内且位于掩膜板的下方。掺杂蒸发源蒸发的掺杂材料需通过掩膜装置才能到达待制备器件，由于掩膜板上设置有均匀分布的开孔，使在单位时间内通过掩膜板的掺杂材料速度发生变化，在不改变掺杂蒸发源蒸发热量的情况下，能够使掺杂材料的蒸发实现一个非常低的蒸发速度，能够有效降低掺杂材料的比例；同时掩膜装置结构简单，易于实现。

主权项

一种低浓度掺杂的蒸发设备，包括真空镀室，以及均设置在所述真空镀室内的主蒸发源和掺杂蒸发源，其特征在于，所述蒸发设备还包括掩膜装置，所述掩膜装置包括至少一个掩膜板及蒸发腔体，所述蒸发腔体的上端开口并通向待制备器件；所述掩膜板水平安装在所述蒸发腔体内，所述掩膜板上开设多个通孔，多个所述通孔均匀分布于所述掩膜板；所述掺杂蒸发源设置在所述蒸发腔体内且位于所述掩膜板的下方。