[发明专利]具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法

摘要

本发明涉及具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法。它具体有如下步骤：（1）将制绒后的硅片表面制作发射极；（2）将步骤（1）所得硅片依次进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；（3）将步骤（2）所得硅片进行高方阻发射极制作；（4）将步骤（3）所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。本发明提出的高方阻晶体硅太阳能电池片的制备方法，主要是提供了一种可以形成低表面掺杂浓度的发射极结构，可以有效的去除电池表面的死层发射极区域以及控制扩散后掺杂浓度结构，提高扩散方阻的均匀性和少数载流子寿命；另外，本发明还可以提高电池的短波响应，减小暗电流，提高电池的开路电压，并且适合于工业化生产。

主权项

具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，步骤包括：（1）将制绒后的硅片进行表面制作发射极；（2）将步骤（1）所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；（3）将步骤（2）所得硅片进行高方阻发射极制作；（4）将步骤（3）所得硅片再依次进行沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结步骤。