[发明专利]低雾度透明导电电极有效
申请号: | 201310214518.0 | 申请日: | 2013-06-01 |
公开(公告)号: | CN103377757A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 潘克菲 | 申请(专利权)人: | 苏州诺菲纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/041 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215300 江苏省苏州市工*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明关于一种具有金属纳米线的透明导电电极及其制造方法,其中透明导电电极具有的铅笔硬度大于1H,纳米多孔表面的孔径小于25纳米且其表面粗糙度小于50纳米。透明导电电极进一步包括一折射率匹配层,其折射率介于1.1-1.5之间,其厚度位于100纳米至200纳米之间。 | ||
搜索关键词: | 低雾度 透明 导电 电极 | ||
【主权项】:
一种导电薄膜,包括:基板;沉积于基板之上的金属纳米线网格;及具有有机或无机材料的各向同性层,其位于基板之上;其中,金属纳米线网格嵌入各向同性层中,且所述导电薄膜具有纳米多孔表面,其特征在于:纳米多孔表面的孔径小于25纳米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州诺菲纳米科技有限公司,未经苏州诺菲纳米科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310214518.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。