[发明专利]单像素结构，包括其的数字微镜器件以及它们的制备方法

摘要

本申请提供了一种单像素结构，包括其的数字微镜器件以及它们的制备方法。其中，单像素结构包括衬底、设置在衬底上的具有左导电部和右导电部的第一导电组件；反射镜，通过设置在衬底或第一导电组件上的支撑结构悬空地设置在第一导电组件的上方，反射镜包括反射部和与反射部垂直设置的驱动部，驱动部部分延伸至左导电部和右导电部之间；常态下，驱动部处于与衬底上表面垂直的状态，且与左导电部和右导电部不接触；在左导电部与驱动部施加电性相反的电压时，驱动部向左导电部偏转；在右导电部与驱动部施加电性相反的电压时，驱动部向右导电部偏转。这种结构不但增加了反射镜的反应灵敏度，而且更适应于DMD芯片小型化、微型化的制作要求。

主权项

一种单像素结构，其特征在于，包括：衬底，第一导电组件，设置在所述衬底上，包括左导电部和右导电部；反射镜，通过设置在所述衬底或所述第一导电组件上的支撑结构悬空地设置在所述第一导电组件上方，所述反射镜包括反射部和与所述反射部垂直设置的驱动部，所述驱动部部分延伸至所述左导电部和右导电部之间；常态下，所述驱动部处于与所述衬底上表面垂直的状态，且与所述左导电部和右导电部不接触；所述左导电部与所述驱动部施加电性相反的电压时，所述驱动部向所述左导电部偏转；所述右导电部与驱动部施加电性相反的电压时，所述驱动部向所述右导电部偏转；所述单像素结构通过以下步骤制得：提供衬底，在所述衬底上形成第一绝缘层，刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一绝缘层中形成凹槽；在所述凹槽的两个相对的侧壁表面上分别形成包括左导电部和右导电部的第一导电组件；沉积牺牲材料，形成位于所述第一绝缘层、左导电部和右导电部上方的第一牺牲部和位于所述左导电部和右导电部之间的第二牺牲部；刻蚀所述第二牺牲部，在所述第二牺牲部内部形成驱动部形成槽；刻蚀穿透所述第一牺牲部形成第二导电组件形成槽；沉积导电材料，在所述第二导电组件形成槽中形成作为支撑结构的第二导电组件；沉积导电反光材料，形成位于所述第一牺牲部和所述第二导电组件上的导电反光材料层和位于所述驱动部形成槽中的驱动部；在所述导电反光材料层上设置掩膜，所述掩膜至少部分覆盖在所述第二导电组件的上方；刻蚀所述导电反光材料层形成反射部；去除所述掩膜、所述第一牺牲部和第二牺牲部，形成所述单像素结构。