[发明专利]MWT太阳能电池片的制造方法无效
申请号: | 201310214858.3 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103268908A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 陈迎乐;赵文超;王建明;王子谦;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种MWT太阳能电池片的制造方法。该MWT太阳能电池片的制造方法包括以下步骤:利用激光技术在制造MWT太阳能电池片的基底上形成过料孔,并在基底背面且位于过料孔的周围的区域进行消融;在过料孔的内壁表面以及消融区域印刷腐蚀浆料,去除激光打孔和消融过程对基底带来的损伤。根据本发明的MWT太阳能电池片的制造方法,能够避免采用激光技术进行打孔和消融带来的不利影响,保证电池光电转换的效率,此外,使用本发明的方法,除了不破坏电池片其他区域的结构以外,还能与现有的工艺兼容,其工艺简单,有利于大规模推广。 | ||
搜索关键词: | mwt 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:利用激光技术在制造MWT太阳能电池片的基底上形成过料孔,在所述基底背面且位于所述过料孔的周围的区域进行消融;S2:在所述过料孔的内壁表面以及消融区域印刷腐蚀浆料,去除激光打孔和消融过程对所述基底带来的损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的