[发明专利]半导体器件中侧墙的制造方法有效
申请号: | 201310215052.6 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103280408A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 荆泉;许进;任昱;吕煜坤;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种半导体器件中侧墙的制造方法:在栅极上依次淀积第一介质膜和第二介质膜,量取第二介质膜淀积后的成膜厚度,与标准厚度规格相减,得到厚度调整值;对第二介质膜进行主刻蚀、过刻蚀;对第二介质膜进行调整刻蚀,得到宽度符合标准的侧墙。本发明通过在传统的侧墙刻蚀工艺中增加一步可调节侧墙厚度的化学刻蚀步骤,对前段介质膜淀积工艺造成的侧墙厚度偏移进行反向修正,从而使最终的侧墙宽度达到产品的规格,也提高产品电学特性和良率的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 中侧墙 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件中侧墙的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01,在栅极上依次淀积第一介质膜和第二介质膜,量取第二介质膜淀积后的成膜厚度,与标准厚度规格相减,得到厚度调整值;步骤S02,对第二介质膜进行主刻蚀;步骤S03,对第二介质膜进行过刻蚀;步骤S04,对第二介质膜进行调整刻蚀:根据该厚度调整值以及刻蚀速率,得到调整刻蚀的刻蚀时间,以该刻蚀时间对第二介质膜进行再次刻蚀,得到宽度符合标准的侧墙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310215052.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种机械式拆键合工艺及系统
- 下一篇:三人充气翘翘板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造