[发明专利]一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法无效

专利信息
申请号: 201310216037.3 申请日: 2013-05-31
公开(公告)号: CN103280496A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 牛新伟;刘石勇;戎俊梅;丁澜;韩玮智;金建波;陆川;仇展炜 申请(专利权)人: 浙江正泰太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 冯谱
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:在n型硅片上依次形成第一非晶硅本征i层和非晶硅p层;在所述n型硅片背面依次形成第二非晶硅本征i层和非晶硅n层;在所述非晶硅p层上形成第一掺硼氧化锌薄膜;在所述第一掺硼氧化锌薄膜上形成n-i-p结构;在所述n-i-p结构上形成第二掺硼氧化锌薄膜,在所述非晶硅n层上形成第三掺硼氧化锌薄膜;在所述n型硅片的背面形成背电极,在所述n型硅片的正面形成正电极。采用本发明提供的制备方法,可以在很大程度上提高太阳能电池的开路电压,并有效提高太阳能电池的光电转换效率。
搜索关键词: 一种 晶体 硅异质结 微晶硅 薄膜 叠层光伏 电池 制备 方法
【主权项】:
一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:a)在n型硅片上依次形成第一非晶硅本征i层和非晶硅p层;b)在所述n型硅片背面上依次形成第二非晶硅本征i层和非晶硅n层;c)在所述非晶硅p层上形成第一掺硼氧化锌薄膜;d)在所述第一掺硼氧化锌薄膜上形成n‑i‑p结构;e)在所述n‑i‑p结构上形成第二掺硼氧化锌薄膜,在所述非晶硅n层上形成第三掺硼氧化锌薄膜;f)在所述n型硅片的背面形成背电极,在所述n型硅片的正面形成正电极。
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