[发明专利]一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法无效
申请号: | 201310216037.3 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103280496A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 牛新伟;刘石勇;戎俊梅;丁澜;韩玮智;金建波;陆川;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:在n型硅片上依次形成第一非晶硅本征i层和非晶硅p层;在所述n型硅片背面依次形成第二非晶硅本征i层和非晶硅n层;在所述非晶硅p层上形成第一掺硼氧化锌薄膜;在所述第一掺硼氧化锌薄膜上形成n-i-p结构;在所述n-i-p结构上形成第二掺硼氧化锌薄膜,在所述非晶硅n层上形成第三掺硼氧化锌薄膜;在所述n型硅片的背面形成背电极,在所述n型硅片的正面形成正电极。采用本发明提供的制备方法,可以在很大程度上提高太阳能电池的开路电压,并有效提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 硅异质结 微晶硅 薄膜 叠层光伏 电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅异质结/微晶硅薄膜叠层光伏电池的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:a)在n型硅片上依次形成第一非晶硅本征i层和非晶硅p层;b)在所述n型硅片背面上依次形成第二非晶硅本征i层和非晶硅n层;c)在所述非晶硅p层上形成第一掺硼氧化锌薄膜;d)在所述第一掺硼氧化锌薄膜上形成n‑i‑p结构;e)在所述n‑i‑p结构上形成第二掺硼氧化锌薄膜,在所述非晶硅n层上形成第三掺硼氧化锌薄膜;f)在所述n型硅片的背面形成背电极,在所述n型硅片的正面形成正电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的