[发明专利]一种非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正方法有效
| 申请号： | 201310216422.8 | 申请日： | 2013-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103308178A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郑兴;李宵;马宣;章翔;刘子骥 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正方法，包括计算红外焦平面阵列在至少两个标定工作温度下的校正参数并将其存储在存储器中；测量红外焦平面阵列的衬底温度；根据衬底温度，从存储器中获取与衬底温度相对应的当前校正参数；用当前校正参数校正红外图像。本发明的方法中由于储存了红外焦平面阵列在各个标定工作温度下的校正参数，当红外焦平面阵列工作时，不需要对红外焦平面阵列进行一点校正，直接从系统存储器中读取与红外焦平面阵列当前工作温度相对应的校正参数，从而保证了红外成像系统实现不间断的对红外目标实时成像。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制冷 红外 平面 阵列 均匀 校正 方法 | ||
【主权项】：
一种非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正方法，其特征在于，包括：步骤A：计算红外焦平面阵列在至少两个标定工作温度下的校正参数，并将所述校正参数存储在存储器中；步骤B：测量所述红外焦平面阵列的衬底温度；步骤C：根据所述衬底温度，从所述存储器中获取与所述衬底温度相对应的当前校正参数；步骤D：用所述红外焦平面阵列对目标物体进行红外成像，获取红外图像；步骤E：用所述当前校正参数对所述红外图像进行校正。
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