[发明专利]气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201310216533.9 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103451725A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 山田英司;荒木和也;小林利玄;笔田麻佑子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/16;C30B29/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法。该气相生长装置具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于反应室的内部，并且用来保持基板的基板保持部；顶板，其设置在被基板保持部保持的基板和与基板相向的反应室的内壁面之间，用来向基板上输送提供到反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与顶板相向的反应室的内壁面与顶板之间流动的第一气体的流量，将在基板上形成膜时的顶板的温度保持为一定。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种气相生长装置，其特征在于，具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于所述反应室的内部，用来保持所述基板的基板保持部；顶板，其设置在被所述基板保持部保持的基板和与所述基板相向的所述反应室的内壁面之间，用来向所述基板上输送提供给所述反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与所述顶板相向的所述反应室的所述内壁面与所述顶板之间流动的第一气体的流量，将在所述基板上形成所述膜时的所述顶板的温度保持为一定。
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