[发明专利]制造场效应晶体管的方法和设备有效
| 申请号： | 201310217162.6 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN103456642B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | V·S·巴斯克;卜惠明;程慷果;B·S·哈兰;N·罗贝特;S·波诺斯;S·施密茨;T·E·斯坦德尔特;山下典洪 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 场效应 晶体管 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种制造场效应晶体管的方法，包括：向鳍片阵列添加第一外延材料；使用第一掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的至少第一部分；从所述鳍片阵列的未被覆盖的部分除去所述第一外延材料；向所述鳍片阵列的所述未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料；使用第二掩蔽材料覆盖所述鳍片阵列的第二部分；以及使用所述第一掩蔽材料和所述第二掩蔽材料进行定向蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
