[发明专利]固态成像元件、固态成像元件的校正方法、快门装置和电子设备有效
申请号: | 201310218440.X | 申请日: | 2013-06-04 |
公开(公告)号: | CN103515403B | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 出羽恭子;角野宏治;原田耕一;小林俊之 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 梁兴龙,陈桂香 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种固态成像元件,包括具有光电转换部的多个像素;和设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,根据向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化。本发明还公开了该固态成像元件的校正方法、包括纳米碳层叠膜的快门装置和使用该快门装置的电子设备。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 校正 方法 快门 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像元件,包括:具有光电转换部的多个像素;和设置在所述光电转换部的光接收面侧并由多个纳米碳层形成的纳米碳层叠膜,通过改变所述纳米碳层叠膜的层叠数量和向所述纳米碳层叠膜施加的电压,在所述纳米碳层叠膜中光的透过率和可透过的光的波长区变化,其中所述纳米碳层叠膜包括由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第一电极、由一个纳米碳层或多个纳米碳层形成的第二电极以及夹持在第一电极和第二电极之间的介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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