[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件，包括基底、绝缘层、DRAM电容器与RRAM存储单元。基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区。绝缘层位于基底上，在DRAM晶胞区上具有第一开口，且在RRAM晶胞区上具有第二开口。DRAM电容器位于绝缘层的第一开口中。RRAM存储单元位于绝缘层的第二开口中。DRAM电容器的第一电极的尺寸大于RRAM存储单元的第二电极的尺寸。RRAM与DRAM可以制作在同一个芯片上，且在芯片上的高度大致相同，不需要通过后续的金属内连线工艺再额外形成RRAM。

主权项

一种半导体元件，其特征在于包括：基底，所述基底包括DRAM晶胞区与RRAM晶胞区；绝缘层，位于所述基底上，在所述DRAM晶胞区上具有第一开口，且在所述RRAM晶胞区上具有第二开口；DRAM电容器，位于所述DRAM晶胞区上的所述绝缘层的所述第一开口中，且所述DRAM电容器包括第一电极，仅位于所述第一开口中；以及RRAM存储单元，位于所述RRAM晶胞区上的所述绝缘层的所述第二开口中，且所述DRAM电容器包括第二电极，仅位于所述第二开口中，其中所述DRAM电容器的所述第一电极的尺寸大于所述RRAM存储单元的所述第二电极的尺寸。