[发明专利]多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法无效
申请号: | 201310220000.8 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN103274416A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 谭毅;王登科;侯振海;张磊 | 申请(专利权)人: | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266234 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种多晶硅介质熔炼提纯方法,具体涉及一种多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法,包括以下步骤:(1)将石墨管道竖直放置于石墨坩埚内正中心,并在石墨管道四周放置硅块;(2)对硅块加热使其全部熔化成硅液;(3)从石墨管道的上端口加入渣剂,渣剂接触到液态硅会自下而上逐步熔化,熔化的渣剂进入硅液中与硅液发生造渣反应,并向石墨坩埚内硅液表面移动,最终在硅液表面形成旧渣;(4)旧渣在硅液表面富集,直至从石墨坩埚溢出,对旧渣进行回收。本发明可以保证旧渣在不用倾倒或扒出的前提下,能够将渣剂直接加入至熔融硅液内,与熔融硅液之间发生造渣反应。 | ||
搜索关键词: | 多晶 介质 熔炼 管道 连续 方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将石墨管道竖直放置于石墨坩埚内正中心,并在石墨管道四周放置硅块;(2)对硅块加热使其全部熔化成硅液;(3)从石墨管道的上端口加入渣剂,渣剂接触到液态硅会自下而上逐步熔化,熔化的渣剂进入硅液中与硅液发生造渣反应,并向石墨坩埚内硅液表面移动,最终在硅液表面形成旧渣;(4)旧渣在硅液表面富集,直至从石墨坩埚溢出,对旧渣进行回收。
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