[发明专利]多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法无效

专利信息
申请号: 201310220000.8 申请日: 2013-06-05
公开(公告)号: CN103274416A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 谭毅;王登科;侯振海;张磊 申请(专利权)人: 青岛隆盛晶硅科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266234 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种多晶硅介质熔炼提纯方法,具体涉及一种多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法,包括以下步骤:(1)将石墨管道竖直放置于石墨坩埚内正中心,并在石墨管道四周放置硅块;(2)对硅块加热使其全部熔化成硅液;(3)从石墨管道的上端口加入渣剂,渣剂接触到液态硅会自下而上逐步熔化,熔化的渣剂进入硅液中与硅液发生造渣反应,并向石墨坩埚内硅液表面移动,最终在硅液表面形成旧渣;(4)旧渣在硅液表面富集,直至从石墨坩埚溢出,对旧渣进行回收。本发明可以保证旧渣在不用倾倒或扒出的前提下,能够将渣剂直接加入至熔融硅液内,与熔融硅液之间发生造渣反应。
搜索关键词: 多晶 介质 熔炼 管道 连续 方法
【主权项】:
一种多晶硅介质熔炼时管道式连续加渣方法,其特征在于包括以下步骤:(1)将石墨管道竖直放置于石墨坩埚内正中心,并在石墨管道四周放置硅块;(2)对硅块加热使其全部熔化成硅液;(3)从石墨管道的上端口加入渣剂,渣剂接触到液态硅会自下而上逐步熔化,熔化的渣剂进入硅液中与硅液发生造渣反应,并向石墨坩埚内硅液表面移动,最终在硅液表面形成旧渣;(4)旧渣在硅液表面富集,直至从石墨坩埚溢出,对旧渣进行回收。
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