[发明专利]改善CMOS图像传感器性能的方法

摘要

本发明涉及CMOS图像传感器，具体涉及一种改善CMOS图像传感器性能的方法，通过在P型硅衬底表面制备一P型的碳化硅外延层，由于碳化硅的能隙较大，在反偏情况下，碳化硅P型的价带和硅衬底N型的价带之间的势能差减小，从而有利于将光子产生的空穴排到P型碳化硅外延层的价带上，可以增加光电转换的效率和灵敏度；同时这种结构由于具有较厚的层，可以防止生成的电子‑空穴对被相邻像素单元所捕获，降低了像素之间的电学互扰，进而提高了图像质量。

主权项

一种改善CMOS图像传感器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅衬底，该硅衬底的表面具有一氧化层；对所述硅衬底进行清洗工艺以去除所述氧化层；于所述硅衬底上表面生长一碳化硅外延层；对所述碳化硅外延层进行P掺杂工艺后，对所述硅衬底的下表面进行减薄工艺；继续后续的CMOS图像传感器的制备工艺；其中，所述硅衬底为P型掺杂的硅衬底；在所述硅衬底上表面通入H2、C3H8和SiH4以生长一层碳化硅外延层；通入H2的流量为0.01ml/s～0.05ml/s，C3H8的流量为0.1ml/s～0.5ml/s，SiH4的流量为0.2ml/s～1ml/s以生长所述碳化硅外延层。