[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法和显示器件有效
| 申请号： | 201310221456.6 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103325841A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 孔祥永;成军;王东方;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供薄膜晶体管及其制作方法和显示器件。该薄膜晶体管的制作方法包括形成栅极、栅极绝缘层、源电极和漏电极的过程，还包括形成半导体层和欧姆接触层的过程。所述欧姆接触层位于所述半导体层的侧面并与所述半导体层的侧面接触。所述形成半导体层和欧姆接触层的过程包括：对栅极绝缘层进行图案化处理以在栅极绝缘层中形成相互连通的第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽中形成所述半导体层，在所述第二凹槽中形成所述欧姆接触层；所述第一凹槽与所述半导体层的形状相一致，所述第二凹槽与所述欧姆接触层的形状相一致。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、源电极、漏电极、栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层，其特征在于，所述欧姆接触层位于所述半导体层的侧面并与所述半导体层的侧面接触。
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