[发明专利]芯片密封圈及包括该密封圈的芯片有效
申请号: | 201310222185.6 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN104218005B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 杨志刚 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/58 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种芯片密封圈及包括该密封圈的芯片,所述芯片密封圈位于芯片的介质层中,围绕位于芯片中的集成电路区,所述介质层和所述集成电路区均位于衬底上,所述芯片密封圈包括内密封圈,所述内密封圈底部位于衬底上,所述内密封圈包括层叠设置的多层第一导电层,相邻两层第一导电层之间通过第一插塞连接;环绕所述内密封圈的外密封圈,所述外密封圈底部位于介质层上,所述外密封圈包括层叠设置的多层第二导电层,相邻两层第二导电层之间通过第二插塞连接。所述芯片密封圈可以降低芯片切割时应力破坏芯片集成电路区的可能性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 密封圈 包括 | ||
【主权项】:
一种芯片密封圈,位于芯片的介质层中,围绕位于芯片中的集成电路区,所述介质层和所述集成电路区均位于衬底上,其特征在于,包括:内密封圈,所述内密封圈底部位于衬底上,所述内密封圈包括层叠设置的多层第一导电层,相邻两层第一导电层之间通过第一插塞连接;环绕所述内密封圈的外密封圈,所述外密封圈底部位于介质层上,所述外密封圈包括层叠设置的多层第二导电层,相邻两层第二导电层之间通过第二插塞连接;其中,所述第一插塞和所述第二插塞的直径相同,所述第一插塞材料的断裂韧性大于第二插塞材料的断裂韧性;所述内密封圈为两个以上,各个第一插塞的直径相同,靠近集成电路区的第一插塞材料的断裂韧性大于远离集成电路区的第一插塞材料的断裂韧性;所述外密封圈为两个以上,各个第二插塞的直径相同,靠近集成电路区的第二插塞材料的断裂韧性大于远离集成电路区的第二插塞材料的断裂韧性。
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