[发明专利]一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法有效
申请号: | 201310222210.0 | 申请日: | 2013-06-05 |
公开(公告)号: | CN103334141A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 柴瑜超;林琳;张小秋;张柯;余震;何丹农 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C30B29/16;C30B29/62;C30B30/02 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法,该方法包括:(1)使用磁控溅射方法在Al2O3陶瓷片上溅射一层纯钛膜;(2)将溅射有钛膜的Al2O3陶瓷片进行阳极氧化,获得高度有序的TiO2纳米管阵列;(3)将TiO2纳米管阵列的陶瓷片浸泡在双稀土溶液中,利用水热法进行离子掺杂。该方法克服必须使用钛片或者钛箔制备高度有序纳米管的缺陷,并且能够将双稀土离子成功负载在二氧化钛纳米管的内部或表面,大幅度提高TiO2的光催化性能。本发明操作简便,反应条件温和,产物性质稳定,并且磁控溅射方法价格便宜、成膜均匀,可用于大面积制备薄膜,适用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 稀土 掺杂 tio sub 纳米 有序 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双稀土掺杂TiO2纳米管有序阵列的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)Al2O3陶瓷片清洗:依次用丙酮、酒精、去离子水超声清洗;(2)对(1)中陶瓷片溅射钛膜:采用直流溅射钛靶,溅射气体为纯氩气;(3)配制阳极氧化溶液;(4)步骤(2)中所得Al2O3陶瓷片在步骤(3)配制的溶液中进行阳极氧化,制备出高度有序的TiO2纳米管阵列;(5)配置双稀土掺杂溶液:所配的溶液为水溶液,其中稀土镧离子占质量分数的0.5‑4.0%,稀土钆离子占体积分数的0.03‑0.2%;(6)将(4)中所得TiO2纳米管阵列浸泡在步骤(5)配置的溶液里,放入烘箱内进行水热反应,取出后自然晾干,煅烧。
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