[发明专利]衬底支持体、半导体制造装置

摘要

本发明的目的在于提供能够抑制对衬底周围的保护气的影响并且具有长使用寿命的衬底支持体以及半导体制造装置。本发明涉及的衬底支持体是利用化学气相生长法在衬底的表面成膜时支持衬底的衬底支持体，具备：具有用于容纳衬底的凹部的石墨材料；该凹部中重叠以SiC形成的第1防脱气膜与以TaC或者HfC形成的第1防升华膜而形成的多层膜；以及该石墨材料的该凹部以外的部分中以SiC形成的第2防脱气膜。

主权项

 一种衬底支持体，利用化学气相生长法在衬底的表面成膜时支持衬底，所述衬底支持体的特征在于，具备：石墨材料，具有用于容纳衬底的凹部；多层膜，在所述凹部中重叠以SiC形成的第1防脱气膜与以TaC或者HfC形成的第1防升华膜而形成；以及第2防脱气膜，在所述石墨材料的所述凹部以外的部分中以SiC形成。