[发明专利]光刻系统光源对称性的检测方法有效
| 申请号： | 201310224037.8 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104216234A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡博修 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光刻系统光源对称性的检测方法，包括：提供第一掩膜，所述第一掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，所述第二标记图形的各行子图形的节距与所述第一标记图形对应列的子图形的节距相等；提供第二掩膜，所述第二掩膜上的第一标记图形和第二标记图形的位置分别与所述第一掩膜上的第二标记图形和第一标记图形的位置相对应；先采用第一掩膜、再采用第二掩膜在第一晶圆上形成第一重叠对准标记；先采用第二掩膜、再采用第一掩膜在第二晶圆上形成第二重叠对准标记；测量所述第一晶圆和第二晶圆的重叠偏移量；计算出由于光源不对称性导致的重叠偏移量。本发明的光刻系统光源对称性的检测方法操作简单，不影响正常的生产制造过程。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 系统 光源 对称性 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻系统光源对称性的检测方法，其特征在于，包括：提供第一掩膜，所述第一掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，所述第一标记图形和所述第二标记图形具有若干呈行列排布的子图形，所述第二标记图形的各行子图形的节距与所述第一标记图形对应列的子图形的节距相等；提供第二掩膜，所述第二掩膜上具有若干第一标记图形和若干第二标记图形，且所述第二掩膜上的第一标记图形的位置与所述第一掩膜上的第二标记图形的位置相对应，所述第二掩膜上的第二标记图形的位置与所述第一掩膜上的第一标记图形的位置相对应；采用所述第一掩膜在第一晶圆上形成第一底层重叠对准标记，采用所述第二掩膜在所述第一底层重叠对准标记上形成第一顶层重叠对准标记；采用所述第二掩膜在第二晶圆上形成第二底层重叠对准标记，采用所述第一掩膜在第二底层重叠对准标记上形成第二顶层重叠对准标记；测量所述第一顶层重叠对准标记与所述第一底层重叠对准标记的第一重叠偏移量，测量所述第二顶层重叠对准标记与所述第二底层重叠对准标记的第二重叠偏移量；对所述第一重叠偏移量和所述第二重叠偏移量进行数据处理，计算出由于光源不对称性导致的重叠偏移量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310224037.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
