[发明专利]接地屏蔽结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201310224040.X | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104218020B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 王西宁;程仁豪;刘凌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种接地屏蔽结构及半导体器件，该屏蔽结构包括衬底；位于衬底上方的介质层；多个间隔排列的导电环，位于衬底或介质层内，导电环又包括多个间隔排列的子导电环，任意两个子导电环中，其中一个子导电环被另一个子导电环包围，相邻两个子导电环之间的间距小于相邻两个导电环之间的间距；接地环，与所有子导电环电连接。导电环被分割为多个子导电环，每个子导电环可等效为电阻，由于所有子导电环均与具有固定电位的接地环电连接，使得每个导电环中的所有子导电环并联在一起；减小了每个导电环的电阻值，进而使得接地屏蔽结构向半导体器件中引入的寄生电阻效应有所减小，提高了感应器元件的品质因数Q。 | ||
| 搜索关键词： | 接地 屏蔽 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种接地屏蔽结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上方的介质层；多个间隔排列的导电环，位于衬底或介质层内，任意两个所述导电环中，一个导电环被另一个导电环包围；每个所述导电环包括多个间隔排列的子导电环，任意两个所述子导电环中，一个子导电环被另一个子导电环包围，同一所述导电环中相邻两个所述子导电环之间的间距小于相邻两个所述导电环之间的间距；接地环，与所有所述子导电环电连接。
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