[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201310224057.5 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104218028B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护结构及其形成方法，所述静电放电保护结构包括半导体基片，贯穿所述半导体基片的硅通孔结构，所述硅通孔结构包括第一表面和第二表面；位于所述硅通孔结构的第一表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层的面积大于所述硅通孔结构的俯视面积，使得所述隧穿介质层还覆盖硅通孔结构周围的部分半导体基片表面，且所述隧穿介质层内离散分布有金属材料。在未进行静电放电时，利用隧穿介质层使得第一电极和第二电极电学隔离；当静电放电时，由于静电电压很高，使得隧穿介质层内离散分布的金属材料之间发生隧穿效应，第一电极和第二电极导通，利用所述硅通孔结构进行静电放电，可以提高芯片的面积利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：半导体基片，贯穿所述半导体基片的硅通孔结构，所述硅通孔结构具有第一表面和第二表面；位于所述硅通孔结构的第一表面的隧穿介质层，所述隧穿介质层的面积大于所述硅通孔结构的俯视面积，使得所述隧穿介质层还覆盖硅通孔结构周围的部分半导体基片表面，利用退火工艺使得硅通孔结构中的金属材料扩散到所述隧穿介质层内，使所述隧穿介质层内离散分布有金属材料；位于所述隧穿介质层表面的第一电极；位于所述硅通孔结构第二表面的第二电极。
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