[发明专利]半导体测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201310224076.8 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104218027B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及其测试方法，其特征在于，所述测试结构包括第一测试结构，所述第一测试结构包括第一鳍部、横跨所述第一鳍部的第一栅极结构、位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内的第一源/漏极、分别连接所述第一栅极结构和第一源/漏极的第一测试端；第二测试结构，所述第二测试结构包括第二鳍部、横跨所述第二鳍部的若干平行分布的第二栅极结构、位于所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内的第二源/漏极、分别连接所述第二栅极结构和第二源/漏极的第二测试端。所述半导体测试结构及其测试方法，可以降低半导体测试结构占用的芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试结构，所述第一测试结构包括：第一鳍部、横跨所述第一鳍部的第一栅极结构、位于所述第一栅极结构两侧的第一鳍部内的第一源/漏极、分别连接所述第一栅极结构和第一源/漏极的第一测试端；第二测试结构，所述第二测试结构包括：第二鳍部、横跨所述第二鳍部的若干平行分布的第二栅极结构、位于所述第二栅极结构两侧的第二鳍部内的第二源/漏极、分别连接所述第二栅极结构和第二源/漏极的第二测试端。
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