[发明专利]N型晶体管及其制作方法、互补金属氧化物半导体

摘要

一种N型晶体管及其制作方法、互补金属氧化物半导体。所述制作方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极侧壁上的偏移侧墙；以所述偏移侧墙为掩模对所述半导体衬底进行第一离子掺杂，以形成包含第一位错的掺杂区；在所述偏移侧墙上形成主侧墙；以所述主侧墙和偏移侧墙为掩模对所述半导体衬底进行第二离子掺杂，以形成包括所述第一位错和第二位错的N型源漏区；在所述N型源漏区的半导体衬底表面形成凸起N型应力层。本发明可以提高电子迁移率，进而提高晶体管的性能。

主权项

一种N型晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括栅极、位于所述栅极侧壁上的偏移侧墙；对栅极和偏移侧墙两侧的半导体衬底进行第一非晶化处理，形成第一非晶硅区域；对第一非晶化处理后的区域进行轻掺杂和袋形注入，形成第一掺杂区；对第一掺杂区的区域进行第一退火，所述第一退火使第一掺杂区的材料结晶化，结晶化的第一掺杂区与第一非晶硅区域的交界处形成第一位错；在所述偏移侧墙上形成主侧墙；对主侧墙和偏移侧墙两侧半导体衬底进行第二非晶化处理，形成第二非晶硅区域；第二非晶化处理后的区域进行N型的源漏掺杂，形成源漏区，源漏区的深度大于第一掺杂区深度；对源漏区的区域第二退火，所述第二退火使源漏区的材料结晶化，结晶化的源漏区与第二非晶硅区域交界处形成第二位错，第二位错深度大于第一位错深度；在所述N型源漏区的半导体衬底表面形成凸起N型应力层。